檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "Chiu-Yen Wang".ecommittee (精準) and cdept.raw="材料科學與工程系"
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本研究分成四部分，第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物的化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯 (Si-doped graphene, SiG)，以及利用氮氣微波電漿將原石墨烯轉化為氮摻雜石墨烯 (N-doped…
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本研究分為兩階段，第一階段以Cu(B)薄膜作為硼源，以化學氣相沉積法製備硼摻雜石墨烯，並以純石墨烯做為比較，探討其性質差異。由拉曼光譜、UV-vis光譜、XPS能譜分析其材料特性。於拉曼光譜可以觀察…
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本研究以Ti、TiN與ITO作為互補式電阻式記憶體之電極，堆疊三層電極形成ITO/Ti/ITO與ITO/TiN/ITO，並藉由Ti金屬薄膜與ITO薄膜結合時兩者不相同之氧化勢形成氧化界面層TiOx，…
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本研究以金屬鈦(Titanium, Ti)為上下電極，氧化亞銅(Cuprous oxide, Cu2O)為介電層，利用磁控濺鍍將薄膜沉積於玻璃基材上，並製作出不同中間層厚度之Ti/Cu2O/Ti三層…
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本研究以Ti及ITO作為電阻式記憶體之電極，並藉由Ti金屬之高氧化勢而自身氧化成TiOx電阻層，因此可在無需額外濺鍍電阻層下製成Ti/ITO與ITO/Ti之電阻式記憶體。 TiN/Ti/TiOx/I…
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本研究分為兩部分，第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物以化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯，並以石墨烯作為比較，探討其性質是否不同。我們以拉曼光譜、TEM、XPS、UV-Vis分析其材料特性，在拉曼光譜中的分…
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此論文中，研究主要被分為三大部分：首先，探討GaS及Ga2S3 奈米片引入SnI2和I2之成長情形和GaS應用於光感測器之性質分析；第二部分，GaS奈米帶之光電性質分析及Ni退火後對元件產生之結構及…